2017年臺(tái)積電將會(huì)面臨哪些的挑戰(zhàn)
2017年年初,各個(gè)半導(dǎo)體公司相繼公司2016年的營(yíng)收,臺(tái)積電在整個(gè)2016年全年?duì)I收為創(chuàng)紀(jì)錄的9479.38億新臺(tái)幣,較2015年增長(zhǎng)12.4%,在最近幾年全球半導(dǎo)體行業(yè)的增長(zhǎng)處于疲軟的情況下,臺(tái)積電在過(guò)去的五年時(shí)間里加權(quán)平均毛利率達(dá)到了48.6%,但2017年臺(tái)積電仍面臨著巨大的挑戰(zhàn),主要體現(xiàn)如下幾個(gè)方面。
一、全球智能手機(jī)需求的放緩
由于三星在幫蘋(píng)果代工A9時(shí),性能不佳,導(dǎo)致蘋(píng)果的A10芯片訂單全部轉(zhuǎn)入了臺(tái)積電門(mén)下,從而提振臺(tái)積電的營(yíng)收,在臺(tái)積電的所有營(yíng)收中,智能手機(jī)芯片市場(chǎng)占了一半,隨著全球智能手機(jī)需求的放緩,這將對(duì)臺(tái)積電的營(yíng)收帶來(lái)重大的影響。
二、英特爾10nm的量產(chǎn)
2016年八月,Intel便宣布,獲得ARM的IP授權(quán),能夠?yàn)榭蛻羯a(chǎn)ARM芯片,這對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō),無(wú)疑是一個(gè)威脅。而在今年的CES展會(huì)上,英特爾在2017年的10nm將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并指出英特爾的10nm工藝比三星、臺(tái)積電的10nm更先進(jìn)、可靠。據(jù)VentureBeat的報(bào)道,有傳蘋(píng)果未來(lái)可能會(huì)將一部分SoC轉(zhuǎn)單Intel,無(wú)疑這對(duì)臺(tái)積電是一個(gè)巨大的威脅。
三、大陸晶圓廠的建設(shè)
近年來(lái),大陸開(kāi)始興建晶圓代工廠,像中芯國(guó)際的崛起,28nm工藝在去年已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),雖然在先進(jìn)制程上,大陸的晶圓廠無(wú)法與臺(tái)積電相比,但大陸在40/55nm工藝方面,在價(jià)格方面有優(yōu)勢(shì),這將搶掉臺(tái)積電的一部分訂單。
臺(tái)積電雖然宣布10nm工藝,但技術(shù)還不成熟,;良率還比較低,還無(wú)法實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。所以在2017年臺(tái)積電仍面臨著巨大的挑戰(zhàn)。